華為沒有EUV拚出麒麟9030！研調拆解晶片 揭突破美國封鎖3難關

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大陸通訊設備龍頭華為於5月底提出「韜定律」概念，宣示目標在2031年前打造出相當於1.4奈米製程水準的晶片。然而，半導體研究機構《SemiAnalysis》近日公布華為Mate 80 Pro Max的拆解報告指出，雖然中芯國際的製程技術持續進步，N+3製程相當於台積電N6製程，但在製程成熟度、良率及生產成本等關鍵指標上，目前難以與其相提並論。


華為最新推出的Mate 80 Pro Max智慧型手機，搭載麒麟9030 Pro處理器，採用中芯國際（SMIC）N+3製程技術製造。N+3製程是中芯國際早期N+2（7奈米）技術的進一步升級版，也是目前大陸最先進的國產晶片製造技術。

根據拆解報告，中芯國際N+3製程在電晶體密度方面，大致達到台積電N6製程的水準，N6屬於7奈米家族的強化版本，從這項指標來看，大陸已具備接近先進製程的能力。然而，為了達成這樣的成果，中芯國際必須大量依賴深紫外光（DUV）多重曝光技術，而非目前業界主流的極紫外光（EUV）設備，這使得製程流程更加複雜，不僅增加生產成本，也影響良率與量產效率。

在晶片性能方面，麒麟9030 Pro的整體表現大致相當於三年前的安卓旗艦晶片，與目前蘋果、高通、聯發科及三星最新旗艦處理器相比仍有落差，尤其在功耗控制與能源效率方面差距更加明顯。

報告認為，美國及其盟友對大陸實施半導體出口管制，雖未完全阻止華為與中芯國際開發先進晶片，但迫使陸企採取不同技術路線。中芯國際由於無法取得EUV設備，轉而依賴DUV多重曝光、DTCO（設計與製程協同優化）以及更複雜的晶片整合技術來提升效能。

陸媒則以較容易理解的方式比喻，中芯國際雖然能夠生產出與台積電相近規格的「鈔票」，但每張鈔票的製造成本卻高出數倍，而且不良品比例也較高，因此，在製程成熟度、經濟效益與量產能力方面，仍無法與台積電N6製程相提並論。

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